R6511ENXC7G-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至260mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-5V至+16V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 得益于碳化硅材料的优异性能， 该器件可在较高温度和电压环境下可靠运行， 适用于高频电源、开关模式电源、DC-DC转换器及高密度电源模块等应用场合， 有助于提升系统整体能效并减小被动元件体积。