R6509KND3TL1-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至460mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 其栅源电压范围为-4V至+18V， 具备良好的开关特性与热稳定性。 基于碳化硅材料的特性， 器件支持高频工作， 有效降低开关损耗， 适用于高密度电源系统， 如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景， 可提升系统整体能效与可靠性。