R6507KND3TL1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
R6507KND3TL1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 支持宽范围驱动条件下的可靠运行。 碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和快速开关能力， 在高频、高效率的电源拓扑中可有效降低能量损耗， 适用于通信电源、数据中心供电系统及可再生能源转换设备等对性能与可靠性要求较高的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
R6507KND3TL1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
R6507KND3TL1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 其栅源电压范围为-8V至+20V， 支持宽范围驱动条件下的可靠运行。 碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和快速开关能力， 在高频、高效率的电源拓扑中可有效降低能量损耗， 适用于通信电源、数据中心供电系统及可再生能源转换设备等对性能与可靠性要求较高的场合。
R6507KND3TL1-HXY特性
暂无产品特性。
R6507KND3TL1-HXY应用领域
暂无应用领域。