R6507END3TL1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
R6507END3TL1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
9
货期
现货
R6507END3TL1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
R6507END3TL1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V， 连续漏极电流（ID）达10.2A， 导通电阻（RDS(ON)）为550mΩ。 栅源驱动电压范围为-8V至+20V， 确保器件在多种驱动条件下稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 该器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 适用于高效率、高功率密度的电源转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。
R6507END3TL1-HXY特性
暂无产品特性。
R6507END3TL1-HXY应用领域
暂无应用领域。