R6504KNXC7G-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 能够适应高压电路环境。 其连续漏极电流（ID）额定值为10A， 支持中等功率负载的通断需求。 器件导通电阻（RDON）为860mΩ， 这一参数直接决定了导通状态下的功率损耗与温升表现。 该产品常用于开关电源适配器、LED照明驱动及各类消费类电子设备的功率级电路中， 作为核心开关元件执行高效的电能转换与控制任务。