R6504KND3TL1-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
R6504KND3TL1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V， 连续漏极电流（ID）为11A， 导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统， 如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
19
货期
现货
R6504KND3TL1-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
R6504KND3TL1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为900V， 连续漏极电流（ID）为11A， 导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ， 栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗， 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统， 如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。
R6504KND3TL1-HXY特性
暂无产品特性。
R6504KND3TL1-HXY应用领域
暂无应用领域。