R6504ENXC7G-HXY

这款N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为650V， 适用于高压开关场景。 其连续漏极电流（ID）为10A， 可承载中等功率负载。 器件导通电阻（RDON）为860mΩ， 该数值直接影响导通损耗及散热设计。 产品主要应用于开关电源、适配器及照明驱动电路中， 作为核心功率开关元件， 负责电路的通断控制与能量转换， 满足各类电子设备对高压功率管理的技术需求。