R6504END3TL1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压达900V， 导通电阻为712mΩ， 在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。 器件采用碳化硅材料， 具有优异的高温性能和开关特性， 适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。 其高耐压与低导通损耗特性， 使其在高频运行条件下仍能保持较低的热应力， 适合用于各类高效电力电子系统中的开关应用。