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R5F563NBDDFB#V0
IC

LFQFP-144(20x20)

可供量大可议

R5F563NBDDFB#V0

特性:RX63N Group产品集成以太网控制器, RX631 Group产品则没有。 32位RX CPU内核:最大工作频率100 MHz, 在100 MHz运行时可达165 DMIPS, 单精度32位IEEE-754浮点运算, 有两种乘积累加单元(内存间和寄存器间), 32位乘法器(最快指令执行需1个CPU时钟周期), 除法器(最快指令执行需2个CPU时钟周期), 快速中断, 采用5级流水线的CISC哈佛架构, 可变长度指令, 超紧凑代码, 支持内存保护单元(MPU), 具备JTAG和FINE(两线)调试接口。 低功耗设计和架构:单2.7-3.6 V电源供电, 低功耗, 支持所有外设功能的产品仅消耗500 μA/MHz, RTC可由专用电源供电(最小工作电压2.3 V), 有四种低功耗模式。 片上主闪存, 无等待状态:支持无ROM版本和最高2 Mbytes ROM版本(仅RX631 Group有无ROM/256 Kbytes/384 Kbytes/512 Kbytes版本), 100 MHz运行, 10 ns读取周期(无等待状态), 容量768 Kbyte至2 Mbyte, 用户代码可通过板载或板外编程。 片上数据闪存:无ROM或32 Kbytes ROM(可重编程达100,000次), 编程/擦除可作为后台操作(BGOs)。 片上SRAM, 无等待状态:64 Kbytes/128 Kbytes/192 Kbytes/256 Kbytes SRAM, 用于指令和操作数, 可在深度软件待机时提供备份。 DMA:DMAAC有四个通道, DTC-EXDMAC有两个通道, 以太网控制器有专用单通道DMAC。 复位和电源管理:有上电复位(POR), 带电压设置的低电压检测(LVD)

品牌

RENESAS/IDT

封装

LFQFP-144(20x20)

库存

2

货期

现货

R5F563NBDDFB#V0参数

封装LFQFP-144(20x20)
品牌RENESAS(瑞萨)/IDT
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存2

R5F563NBDDFB#V0概述

特性:RX63N Group产品集成以太网控制器, RX631 Group产品则没有。 32位RX CPU内核:最大工作频率100 MHz, 在100 MHz运行时可达165 DMIPS, 单精度32位IEEE-754浮点运算, 有两种乘积累加单元(内存间和寄存器间), 32位乘法器(最快指令执行需1个CPU时钟周期), 除法器(最快指令执行需2个CPU时钟周期), 快速中断, 采用5级流水线的CISC哈佛架构, 可变长度指令, 超紧凑代码, 支持内存保护单元(MPU), 具备JTAG和FINE(两线)调试接口。 低功耗设计和架构:单2.7-3.6 V电源供电, 低功耗, 支持所有外设功能的产品仅消耗500 μA/MHz, RTC可由专用电源供电(最小工作电压2.3 V), 有四种低功耗模式。 片上主闪存, 无等待状态:支持无ROM版本和最高2 Mbytes ROM版本(仅RX631 Group有无ROM/256 Kbytes/384 Kbytes/512 Kbytes版本), 100 MHz运行, 10 ns读取周期(无等待状态), 容量768 Kbyte至2 Mbyte, 用户代码可通过板载或板外编程。 片上数据闪存:无ROM或32 Kbytes ROM(可重编程达100,000次), 编程/擦除可作为后台操作(BGOs)。 片上SRAM, 无等待状态:64 Kbytes/128 Kbytes/192 Kbytes/256 Kbytes SRAM, 用于指令和操作数, 可在深度软件待机时提供备份。 DMA:DMAAC有四个通道, DTC-EXDMAC有两个通道, 以太网控制器有专用单通道DMAC。 复位和电源管理:有上电复位(POR), 带电压设置的低电压检测(LVD)

R5F563NBDDFB#V0特性

暂无产品特性。

R5F563NBDDFB#V0应用领域

暂无应用领域。

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