R5011FNX-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
R5011FNX-VB
TO220F； N—Channel沟道, 550V； 18A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
10
货期
现货
R5011FNX-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
R5011FNX-VB概述
TO220F； N—Channel沟道, 550V； 18A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
R5011FNX-VB特性
暂无产品特性。
R5011FNX-VB应用领域
暂无应用领域。