R1LV0208BSA-5SI#B1

R1LV0208BSA 是一系列低压 2 Mbit 静态随机存取存储器（SRAM）， 其组织形式为 262,144 字×8 位， 采用高性能 0.15um CMOS 和 TFT 技术制造。 R1LV0208BSA 实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。