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QS8J13TR
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IC

TSMT8

QS8J13TR

场效应管(MOSFET) 1.25W 12V 5.5A 2个P沟道

品牌

ROHM

封装

TSMT8

交期

现货

批次

26+

QS8J13TR参数

封装TSMT8
品牌ROHM(罗姆)
批次26+
数量2个P沟道
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)6.3nF
输出电容(Coss)750pF
分类场效应管(MOSFET)
库存5,988
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)1.5W
栅极电荷量(Qg)60nC@4.5V
反向传输电容(Crss)750pF

QS8J13TR概述

场效应管(MOSFET) 1.25W 12V 5.5A 2个P沟道

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