QS8J13TR
IC
TSMT8
可供量大可议
QS8J13TR
特性：低导通电阻。 小尺寸表面贴装封装。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 无卤。 应用：开关
品牌
ROHM
封装
TSMT8
库存
2
货期
现货
QS8J13TR参数
| 封装 | TSMT8 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
QS8J13TR概述
场效应管(MOSFET) 1.25W 12V 5.5A 2个P沟道
QS8J13TR特性
暂无产品特性。
QS8J13TR应用领域
暂无应用领域。