QS6M3TR-VB
IC
TSOP-6
可供量大可议
QS6M3TR-VB
SOT23-6； N+P—Channel沟道, ±20V； 5.5 /-3.4A； RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±0.5 ~±1.5V
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
70
货期
现货
QS6M3TR-VB参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
QS6M3TR-VB概述
SOT23-6； N+P—Channel沟道, ±20V； 5.5 /-3.4A； RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=±0.5 ~±1.5V
QS6M3TR-VB特性
暂无产品特性。
QS6M3TR-VB应用领域
暂无应用领域。