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QS6K21TR
IC

TSMT6(SC-95)

可供量大可议

QS6K21TR

特性:低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小表面贴装封装(TSMT6)。 无铅镀铅; 符合RoHS标准。 应用:开关

品牌

ROHM

封装

TSMT6(SC-95)

库存

11

货期

现货

QS6K21TR参数

封装TSMT6(SC-95)
品牌ROHM(罗姆)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)45V
耗散功率(Pd)1.25W
输入电容(Ciss)95pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存11
数量2个N沟道
导通电阻(RDS(on))420mΩ@4.5V
栅极电荷量(Qg)2.1nC@4.5V
反向传输电容(Crss)10pF

QS6K21TR概述

场效应管(MOSFET) 1.25W 45V 1A 2个N沟道

QS6K21TR特性

暂无产品特性。

QS6K21TR应用领域

暂无应用领域。

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