QNN80N065BX
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
QNN80N065BX
1个N沟道， 共源配置； Vdss=65V， Id=95A； RDS(ON)=4.8mΩ@4.5V; 3.6mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.2~2.5V； Ciss=2000pF， Coss=660pF， Crss=28pF； Pd=78W， Qg=35nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8(5x6)
库存
5
货期
现货
QNN80N065BX参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
QNN80N065BX概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=65V， Id=95A； RDS(ON)=4.8mΩ@4.5V; 3.6mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.2~2.5V； Ciss=2000pF， Coss=660pF， Crss=28pF； Pd=78W， Qg=35nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNN80N065BX特性
暂无产品特性。
QNN80N065BX应用领域
暂无应用领域。