QNN55P10AY
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
QNN55P10AY
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-100V， Id=-18A； RDS(ON)=87mΩ@-4.5V; 82mΩ@-10V； Vgs=±20V， VGS(th)=-1.1~-2.2V； Ciss=4292pF， Coss=87pF， Crss=70pF； Pd=57W， Qg=50nC@-10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8(5x6)
库存
70
货期
现货
QNN55P10AY参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
QNN55P10AY概述
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-100V， Id=-18A； RDS(ON)=87mΩ@-4.5V; 82mΩ@-10V； Vgs=±20V， VGS(th)=-1.1~-2.2V； Ciss=4292pF， Coss=87pF， Crss=70pF； Pd=57W， Qg=50nC@-10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNN55P10AY特性
暂无产品特性。
QNN55P10AY应用领域
暂无应用领域。