QNN2401
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
QNN2401
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-15V， Id=-12A； RDS(ON)=22.6mΩ@-2.5V; 16.7mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-0.4~-1V； Ciss=901pF， Coss=173pF， Crss=150pF； Pd=5W， Qg=8nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
DFN-6(2x2)
库存
80
货期
现货
QNN2401参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
QNN2401概述
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-15V， Id=-12A； RDS(ON)=22.6mΩ@-2.5V; 16.7mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-0.4~-1V； Ciss=901pF， Coss=173pF， Crss=150pF； Pd=5W， Qg=8nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNN2401特性
暂无产品特性。
QNN2401应用领域
暂无应用领域。