QNN150N06
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
QNN150N06
1个N沟道， 共源配置； Vdss=60V， Id=114A； RDS(ON)=4.5mΩ@8V; 3.7mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=2.0~3.9V； Ciss=5114pF， Coss=363pF， Crss=318pF； Pd=118W， Qg=98nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、无卤素、符合 RoHS 标准； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8(5x6)
库存
30
货期
现货
QNN150N06参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
QNN150N06概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=60V， Id=114A； RDS(ON)=4.5mΩ@8V; 3.7mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=2.0~3.9V； Ciss=5114pF， Coss=363pF， Crss=318pF； Pd=118W， Qg=98nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、无卤素、符合 RoHS 标准； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNN150N06特性
暂无产品特性。
QNN150N06应用领域
暂无应用领域。