QNN100P03BJ
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
QNN100P03BJ
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-30V， Id=-80A； RDS(ON)=5.4mΩ@-4.5V; 3.9mΩ@-10V； Vgs=±20V， VGS(th)=-1.2~-2.2V； Ciss=7747pF， Coss=871pF， Crss=559pF； Pd=52W， Qg=121nC@-10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8(5x6)
库存
90
货期
现货
QNN100P03BJ参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
QNN100P03BJ概述
1个P沟道， 共源配置； Vdss=-30V， Id=-80A； RDS(ON)=5.4mΩ@-4.5V; 3.9mΩ@-10V； Vgs=±20V， VGS(th)=-1.2~-2.2V； Ciss=7747pF， Coss=871pF， Crss=559pF； Pd=52W， Qg=121nC@-10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNN100P03BJ特性
暂无产品特性。
QNN100P03BJ应用领域
暂无应用领域。