QNM7611AJ
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM7611AJ
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=30V (N)/-30V (P)， Id=10A (N)/-7A (P)； RDS(ON)=22mΩ@4.5V (N)/46mΩ@-4.5V (P); 14mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=511pF (N)/516pF (P)， Coss=66pF (N)/71pF (P)， Crss=52pF (N)/60pF (P)； Pd=6W (N)/6.9W (P)， Qg=10nC@10V (N)/16nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
100
货期
现货
QNM7611AJ参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
QNM7611AJ概述
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=30V (N)/-30V (P)， Id=10A (N)/-7A (P)； RDS(ON)=22mΩ@4.5V (N)/46mΩ@-4.5V (P); 14mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=511pF (N)/516pF (P)， Coss=66pF (N)/71pF (P)， Crss=52pF (N)/60pF (P)； Pd=6W (N)/6.9W (P)， Qg=10nC@10V (N)/16nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
QNM7611AJ特性
暂无产品特性。
QNM7611AJ应用领域
暂无应用领域。