PDFN-8L(3x3)
QNM40NP2444
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=40V (N)/-40V (P)， Id=10A (N)/-10A (P)； RDS(ON)=37mΩ@4.5V (N)/39mΩ@-4.5V (P); 28mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=580pF (N)/1134pF (P)， Coss=36.2pF (N)/85pF (P)， Crss=32.5pF (N)/68pF (P)； Pd=3.4W (N)/7.5W (P)， Qg=11nC@10V (N)/20nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、快速开关特性； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
55
货期
现货
QNM40NP2444参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
QNM40NP2444概述
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=40V (N)/-40V (P)， Id=10A (N)/-10A (P)； RDS(ON)=37mΩ@4.5V (N)/39mΩ@-4.5V (P); 28mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=580pF (N)/1134pF (P)， Coss=36.2pF (N)/85pF (P)， Crss=32.5pF (N)/68pF (P)； Pd=3.4W (N)/7.5W (P)， Qg=11nC@10V (N)/20nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、快速开关特性； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
QNM40NP2444特性
暂无产品特性。
QNM40NP2444应用领域
暂无应用领域。