PDFN-8L(3x3)
QNM30NP0812
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=30V (N)/-30V (P)， Id=27A (N)/-24A (P)； RDS(ON)=11.5mΩ@4.5V (N)/19.5mΩ@-4.5V (P); 7.4mΩ@10V (N)/11.5mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.2V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=1004pF (N)/900pF (P)， Coss=117pF (N)/172pF (P)， Crss=88pF (N)/146pF (P)； Pd=15.6W (N)/14.7W (P)， Qg=20nC@10V (N)/22nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
70
货期
现货
QNM30NP0812参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
QNM30NP0812概述
1个N沟道+1个P沟道， 共源配置； Vdss=30V (N)/-30V (P)， Id=27A (N)/-24A (P)； RDS(ON)=11.5mΩ@4.5V (N)/19.5mΩ@-4.5V (P); 7.4mΩ@10V (N)/11.5mΩ@-10V (P)； Vgs=±20V； VGS(th)=1.0~2.2V (N)/-1.0~-2.5V (P)； Ciss=1004pF (N)/900pF (P)， Coss=117pF (N)/172pF (P)， Crss=88pF (N)/146pF (P)； Pd=15.6W (N)/14.7W (P)， Qg=20nC@10V (N)/22nC@-10V (P)； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于电池保护、负载开关、电源管理。
QNM30NP0812特性
暂无产品特性。
QNM30NP0812应用领域
暂无应用领域。