QNM30ND50AY
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM30ND50AY
2个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=30A； RDS(ON)=11mΩ@4.5V; 6.2mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.5V； Ciss=1310pF， Coss=180pF， Crss=136pF； Pd=13.9W， Qg=23nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
65
货期
现货
QNM30ND50AY参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
QNM30ND50AY概述
2个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=30A； RDS(ON)=11mΩ@4.5V; 6.2mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.5V； Ciss=1310pF， Coss=180pF， Crss=136pF； Pd=13.9W， Qg=23nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM30ND50AY特性
暂无产品特性。
QNM30ND50AY应用领域
暂无应用领域。