QNM30ND15LX
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM30ND15LX
2个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=10A； RDS(ON)=25.5mΩ@2.5V; 19.5mΩ@4.5V; 17mΩ@10V； Vgs=±12V， VGS(th)=0.4~1.3V； Ciss=596pF， Coss=47pF， Crss=39pF； Pd=5.43W， Qg=19nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 100% UIS 与 ΔVds 测试； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
75
货期
现货
QNM30ND15LX参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
QNM30ND15LX概述
2个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=10A； RDS(ON)=25.5mΩ@2.5V; 19.5mΩ@4.5V; 17mΩ@10V； Vgs=±12V， VGS(th)=0.4~1.3V； Ciss=596pF， Coss=47pF， Crss=39pF； Pd=5.43W， Qg=19nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 100% UIS 与 ΔVds 测试； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM30ND15LX特性
暂无产品特性。
QNM30ND15LX应用领域
暂无应用领域。