QNM30N20AJ
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM30N20AJ
1个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=18A； RDS(ON)=12.7mΩ@4.5V; 8.7mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.2V； Ciss=835pF， Coss=100pF， Crss=81pF； Pd=18W， Qg=16nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
80
货期
现货
QNM30N20AJ参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
QNM30N20AJ概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=18A； RDS(ON)=12.7mΩ@4.5V; 8.7mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.2V； Ciss=835pF， Coss=100pF， Crss=81pF； Pd=18W， Qg=16nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM30N20AJ特性
暂无产品特性。
QNM30N20AJ应用领域
暂无应用领域。