QNM30N06AJ
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM30N06AJ
1个N沟道， 共源配置； Vdss=60V， Id=15A； RDS(ON)=34mΩ@4.5V; 29mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.5V； Ciss=1206pF， Coss=52pF， Crss=42pF； Pd=20W， Qg=20.3nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
45
货期
现货
QNM30N06AJ参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
QNM30N06AJ概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=60V， Id=15A； RDS(ON)=34mΩ@4.5V; 29mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.5V； Ciss=1206pF， Coss=52pF， Crss=42pF； Pd=20W， Qg=20.3nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM30N06AJ特性
暂无产品特性。
QNM30N06AJ应用领域
暂无应用领域。