QNM20PD02AJ
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM20PD02AJ
2个P沟道， 共源配置； Vdss=-20V， Id=-20A； RDS(ON)=16.5mΩ@-2.5V; 12.5mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-0.4~-1.0V； Ciss=1764pF， Coss=171pF， Crss=143pF； Pd=优异， Qg=16nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
30
货期
现货
QNM20PD02AJ参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
QNM20PD02AJ概述
2个P沟道， 共源配置； Vdss=-20V， Id=-20A； RDS(ON)=16.5mΩ@-2.5V; 12.5mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-0.4~-1.0V； Ciss=1764pF， Coss=171pF， Crss=143pF； Pd=优异， Qg=16nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM20PD02AJ特性
暂无产品特性。
QNM20PD02AJ应用领域
暂无应用领域。