QNM20N15AYG
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM20N15AYG
1个N沟道， 共源配置； Vdss=150V， Id=15A； RDS(ON)=59mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=2.5~4.5V； Ciss=373pF， Coss=94pF， Crss=6.6pF； Pd=28W， Qg=5.3nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进分裂栅沟槽工艺； 应用于通信及工业自动化电源管理、DC/DC与AC/DC子系统电流开关、电动工具、电动车、机器人电机驱动。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
10
货期
现货
QNM20N15AYG参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
QNM20N15AYG概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=150V， Id=15A； RDS(ON)=59mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=2.5~4.5V； Ciss=373pF， Coss=94pF， Crss=6.6pF； Pd=28W， Qg=5.3nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进分裂栅沟槽工艺； 应用于通信及工业自动化电源管理、DC/DC与AC/DC子系统电流开关、电动工具、电动车、机器人电机驱动。
QNM20N15AYG特性
暂无产品特性。
QNM20N15AYG应用领域
暂无应用领域。