QNM15PD02
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM15PD02
2个P沟道， 共源配置； Vdss=-20V， Id=-12A； RDS(ON)=18mΩ@-2.5V; 14mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-1.0~-0.4V； Ciss=1652pF， Coss=135pF， Crss=113pF； Pd=15W， Qg=19.5nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
85
货期
现货
QNM15PD02参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
QNM15PD02概述
2个P沟道， 共源配置； Vdss=-20V， Id=-12A； RDS(ON)=18mΩ@-2.5V; 14mΩ@-4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=-1.0~-0.4V； Ciss=1652pF， Coss=135pF， Crss=113pF； Pd=15W， Qg=19.5nC@-4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM15PD02特性
暂无产品特性。
QNM15PD02应用领域
暂无应用领域。