QNM120N02AX
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
QNM120N02AX
1个N沟道， 共源配置； Vdss=12V， Id=80A； RDS(ON)=2.4mΩ@2.5V; 1.9mΩ@4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=0.4~1V； Ciss=4940pF， Coss=1228pF， Crss=1128pF； Pd=28W， Qg=50nC@4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
95
货期
现货
QNM120N02AX参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
QNM120N02AX概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=12V， Id=80A； RDS(ON)=2.4mΩ@2.5V; 1.9mΩ@4.5V； Vgs=±12V， VGS(th)=0.4~1V； Ciss=4940pF， Coss=1228pF， Crss=1128pF； Pd=28W， Qg=50nC@4.5V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNM120N02AX特性
暂无产品特性。
QNM120N02AX应用领域
暂无应用领域。