QND80N06D
IC
TO-252
可供量大可议
QND80N06D
60V/58A N 沟道， 7mΩ@10V/8.5mΩ@4.5V， 232A 超大脉冲 + 121mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
TO-252
库存
90
货期
现货
QND80N06D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
QND80N06D概述
60V/58A N 沟道， 7mΩ@10V/8.5mΩ@4.5V， 232A 超大脉冲 + 121mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
QND80N06D特性
暂无产品特性。
QND80N06D应用领域
暂无应用领域。