QND60P03AJ
IC
TO-252
可供量大可议
QND60P03AJ
-30V/-60A P 沟道， 5.4mΩ@-10V/7.2mΩ@-4.5V， 240A 超大脉冲 + 152mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
TO-252
库存
80
货期
现货
QND60P03AJ参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
QND60P03AJ概述
-30V/-60A P 沟道， 5.4mΩ@-10V/7.2mΩ@-4.5V， 240A 超大脉冲 + 152mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
QND60P03AJ特性
暂无产品特性。
QND60P03AJ应用领域
暂无应用领域。