QND50P02BY
IC
TO-252
可供量大可议
QND50P02BY
-20V/-55A P 沟道， 6.2mΩ@-4.5V/8.4mΩ@-2.5V， -220A 超大脉冲 + 39mJ 雪崩能量， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
TO-252
库存
65
货期
现货
QND50P02BY参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 65 |
QND50P02BY概述
-20V/-55A P 沟道， 6.2mΩ@-4.5V/8.4mΩ@-2.5V， -220A 超大脉冲 + 39mJ 雪崩能量， -55~150℃宽温环保， 适配电源管理 / PWM
QND50P02BY特性
暂无产品特性。
QND50P02BY应用领域
暂无应用领域。