QND30N03LJ
IC
TO-252
可供量大可议
QND30N03LJ
30V/12A N 沟道， 19mΩ@10V/27mΩ@4.5V， 40A 大脉冲电流 + 30mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， 低栅极电荷， -55~150℃宽温环保， 适配中压负载开关 / 电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
TO-252
库存
200
货期
现货
QND30N03LJ参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
QND30N03LJ概述
30V/12A N 沟道， 19mΩ@10V/27mΩ@4.5V， 40A 大脉冲电流 + 30mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， 低栅极电荷， -55~150℃宽温环保， 适配中压负载开关 / 电源管理 / PWM
QND30N03LJ特性
暂无产品特性。
QND30N03LJ应用领域
暂无应用领域。