QND100N02AJ
IC
TO-252
可供量大可议
QND100N02AJ
20V/90A N 沟道， 3.1mΩ@4.5V/4.2mΩ@2.5V， 360A 超大脉冲电流 + 156mJ 雪崩能量， ±12V 宽栅压， 低栅极电荷， -55~150℃宽温环保， 适配顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
TO-252
库存
185
货期
现货
QND100N02AJ参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 185 |
QND100N02AJ概述
20V/90A N 沟道， 3.1mΩ@4.5V/4.2mΩ@2.5V， 360A 超大脉冲电流 + 156mJ 雪崩能量， ±12V 宽栅压， 低栅极电荷， -55~150℃宽温环保， 适配顶级大功率负载开关 / 电源管理 / PWM
QND100N02AJ特性
暂无产品特性。
QND100N02AJ应用领域
暂无应用领域。