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QNC30PD19AY
IC

SOP-8L

可供量大可议

QNC30PD19AY

-30V/-8A 双 P 沟道, 19mΩ@-10V/32mΩ@-4.5V, -32A 大脉冲电流 + 20mJ 雪崩能量, ±20V 宽栅压, 100% UIS 测试, -55~150℃宽温环保, 适配负载开关 / 电源管理 / PWM

品牌

QNHCHIP

封装

SOP-8L

库存

150

货期

现货

QNC30PD19AY参数

封装SOP-8L
品牌QNHCHIP(乾能惠)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存150

QNC30PD19AY概述

-30V/-8A 双 P 沟道, 19mΩ@-10V/32mΩ@-4.5V, -32A 大脉冲电流 + 20mJ 雪崩能量, ±20V 宽栅压, 100% UIS 测试, -55~150℃宽温环保, 适配负载开关 / 电源管理 / PWM

QNC30PD19AY特性

暂无产品特性。

QNC30PD19AY应用领域

暂无应用领域。

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