QNA3012AJ
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
QNA3012AJ
1个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=12A； RDS(ON)=13.8mΩ@4.5V; 9.1mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.2V； Ciss=813pF， Coss=102pF， Crss=88pF； Pd=2.6W， Qg=17nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌
QNHCHIP
封装
DFN-6(2x2)
库存
30
货期
现货
QNA3012AJ参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
QNA3012AJ概述
1个N沟道， 共源配置； Vdss=30V， Id=12A； RDS(ON)=13.8mΩ@4.5V; 9.1mΩ@10V； Vgs=±20V， VGS(th)=1.0~2.2V； Ciss=813pF， Coss=102pF， Crss=88pF； Pd=2.6W， Qg=17nC@10V； TJ=-55~150℃； 无铅、先进沟槽工艺； 应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
QNA3012AJ特性
暂无产品特性。
QNA3012AJ应用领域
暂无应用领域。