QN20ND06
IC
SOP-8L
可供量大可议
QN20ND06
60V/12A 双 N 沟道， 9mΩ@10V/10mΩ@4.5V， 48A 大脉冲电流 + 36mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配负载开关 / 电源管理 / PWM
品牌
QNHCHIP
封装
SOP-8L
库存
195
货期
现货
QN20ND06参数
| 封装 | SOP-8L |
|---|---|
| 品牌 | QNHCHIP(乾能惠) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
QN20ND06概述
60V/12A 双 N 沟道， 9mΩ@10V/10mΩ@4.5V， 48A 大脉冲电流 + 36mJ 雪崩能量， ±20V 宽栅压， -55~150℃宽温环保， 适配负载开关 / 电源管理 / PWM
QN20ND06特性
暂无产品特性。
QN20ND06应用领域
暂无应用领域。