QM3100M6-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
QM3100M6-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 160A； RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
Brand
VBsemi
Package
DFN5x6-8
Stock
50
货期
现货
QM3100M6-VBParameters
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:160A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
| 商品型号 | QM3100M6-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00026 |
QM3100M6-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 160A； RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
QM3100M6-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
QM3100M6-VB应用领域
- 或门应用
- 服务器