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QM0016F-VB
IC

TO-220

可供量大可议

QM0016F-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N场效应管, 采用Trench工艺。 适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 50A; RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220

库存

10

货期

现货

QM0016F-VB参数

封装TO-220
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

QM0016F-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N场效应管, 采用Trench工艺。 适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 50A; RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.5~2.5V

QM0016F-VB特性

暂无产品特性。

QM0016F-VB应用领域

暂无应用领域。

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