QH8MA4TCR
自营可供
IC
TSMT-8
QH8MA4TCR
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 9A； 8A 1个N沟道+1个P沟道
品牌
ROHM
封装
TSMT-8
交期
现货
批次
26+
QH8MA4TCR参数
| 封装 | TSMT-8 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 890pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 494 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
QH8MA4TCR概述
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 9A； 8A 1个N沟道+1个P沟道