QH8MA2TCR
自营可供
IC
TSMT8
QH8MA2TCR
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-30V-4.5A-3A-1.25W-表面贴装型-TSMT8
品牌
ROHM
封装
TSMT8
交期
现货
批次
23+
QH8MA2TCR参数
| 封装 | TSMT8 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 23+ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A， 3A |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 365pF @ 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.4nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,271 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4.5A， 10V |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.4nC @ 10V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
QH8MA2TCR概述
MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-30V-4.5A-3A-1.25W-表面贴装型-TSMT8