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PZT651T1G
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IC

SOT-223

PZT651T1G

三极管(BJT) 800mW 60V 2A NPN

Brand

ON

Package

SOT-223

交期

现货

Date Code

25+

PZT651T1GParameters

封装SOT-223
品牌ON(安森美)
批次25+
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)60V
直流电流增益(hFE)75
集电极截止电流(Icbo)100nA
工作温度-65℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存161
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)2A
耗散功率(Pd)800mW
特征频率(fT)75MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)5V

PZT651T1G概述

三极管(BJT) 800mW 60V 2A NPN

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