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PXP9R1-30QLJ-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

PXP9R1-30QLJ-HXY

这款P沟道场效应管具备55安培的连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30伏, 导通电阻低至8毫欧。 其低内阻特性显著降低了导通损耗, 适用于大电流负载切换、电池组保护及高效电源管理模块。 该器件在有限空间内能提供优异的散热表现, 常用于高性能便携式设备、服务器主板供电及各类直流电机驱动电路中, 确保系统在重载条件下的稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

PXP9R1-30QLJ-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

PXP9R1-30QLJ-HXY概述

这款P沟道场效应管具备55安培的连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30伏, 导通电阻低至8毫欧。 其低内阻特性显著降低了导通损耗, 适用于大电流负载切换、电池组保护及高效电源管理模块。 该器件在有限空间内能提供优异的散热表现, 常用于高性能便携式设备、服务器主板供电及各类直流电机驱动电路中, 确保系统在重载条件下的稳定运行。

PXP9R1-30QLJ-HXY特性

暂无产品特性。

PXP9R1-30QLJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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