PXP9R1-30QLJ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
PXP9R1-30QLJ-HXY
这款P沟道场效应管具备55安培的连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30伏, 导通电阻低至8毫欧。 其低内阻特性显著降低了导通损耗, 适用于大电流负载切换、电池组保护及高效电源管理模块。 该器件在有限空间内能提供优异的散热表现, 常用于高性能便携式设备、服务器主板供电及各类直流电机驱动电路中, 确保系统在重载条件下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
PXP9R1-30QLJ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
PXP9R1-30QLJ-HXY概述
这款P沟道场效应管具备55安培的连续漏极电流能力, 漏源击穿电压为30伏, 导通电阻低至8毫欧。 其低内阻特性显著降低了导通损耗, 适用于大电流负载切换、电池组保护及高效电源管理模块。 该器件在有限空间内能提供优异的散热表现, 常用于高性能便携式设备、服务器主板供电及各类直流电机驱动电路中, 确保系统在重载条件下的稳定运行。
PXP9R1-30QLJ-HXY特性
暂无产品特性。
PXP9R1-30QLJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
