PXN8R3-30QLJ-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 提升整体效率， 在高电流应用中表现出良好的热稳定性。 适用于电源管理、电池供电系统、电机驱动及各类需要高效能开关特性的电子设备。 器件在高频开关操作下仍能保持可靠的电气性能， 满足对紧凑布局和散热要求较高的电路设计需求。