PXN6R7-30QLJ-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。 器件采用标准封装形式， 便于在高频率或大电流条件下稳定工作。