PXN4R7-30QLJ-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 器件适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景， 其低阻特性有助于减少发热并提升系统整体能效。 由于具备较高的电流承载能力与较低的导通压降， 该MOSFET可有效支持高频率开关操作， 在各类电子设备的功率转换与控制电路中发挥关键作用。