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PXN018-30QLJ-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

PXN018-30QLJ-HXY

这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计, 在30V耐压下支持20A连续电流, 15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。 ±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。 其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景, 能有效提升电源转换效率。 典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关, 尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

40

货期

现货

PXN018-30QLJ-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

PXN018-30QLJ-HXY概述

这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计, 在30V耐压下支持20A连续电流, 15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。 ±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。 其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景, 能有效提升电源转换效率。 典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关, 尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。

PXN018-30QLJ-HXY特性

暂无产品特性。

PXN018-30QLJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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