PXN018-30QLJ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
PXN018-30QLJ-HXY
这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计, 在30V耐压下支持20A连续电流, 15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。 ±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。 其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景, 能有效提升电源转换效率。 典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关, 尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
PXN018-30QLJ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
PXN018-30QLJ-HXY概述
这款N沟道场效应管专为低压大电流应用设计, 在30V耐压下支持20A连续电流, 15mΩ的超低导通电阻显著降低了导通损耗与发热。 ±20V的栅极耐压提供了可靠的驱动保护。 其低栅极电荷特性使其非常适合高频开关场景, 能有效提升电源转换效率。 典型应用于便携式设备快充方案、电池保护电路、LED驱动及负载开关, 尤其适合对效率和热管理有较高要求的紧凑型电源设计。
PXN018-30QLJ-HXY特性
暂无产品特性。
PXN018-30QLJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
