PVI1050NSPBF
IC
SMD-8P
可供量大可议
PVI1050NSPBF
光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压, 能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。 采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。 输出由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制, 该二极管与光伏发生器进行光隔离。 适用于需要大电流和/或高压开关的应用, 在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。 可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。 双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET, 或并联或串联连接, 为功率MOSFET提供更高的电流驱动, 或为IGBT提供更高的电压驱动。 采用快速关断电路。 采用8引脚模制DIP封装, 有通孔或表面贴装(鸥翼式)引脚, 采用塑料运输管包装。
品牌
Infineon
封装
SMD-8P
库存
9
货期
现货
PVI1050NSPBF参数
| 封装 | SMD-8P |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
PVI1050NSPBF概述
光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压, 能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。 采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。 输出由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制, 该二极管与光伏发生器进行光隔离。 适用于需要大电流和/或高压开关的应用, 在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。 可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。 双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET, 或并联或串联连接, 为功率MOSFET提供更高的电流驱动, 或为IGBT提供更高的电压驱动。 采用快速关断电路。 采用8引脚模制DIP封装, 有通孔或表面贴装(鸥翼式)引脚, 采用塑料运输管包装。
PVI1050NSPBF特性
暂无产品特性。
PVI1050NSPBF应用领域
暂无应用领域。
